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IXTH48P20P
IXTT48P20P
-90
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
T J = - 40oC
25oC
125oC
55
50
45
40
35
30
25
20
15
T J = - 40oC
25oC
125oC
10
-10
0
5
0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-6.5
-7.0
-7.5
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-160
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-140
-120
-100
-80
-60
T J = 125oC
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
V DS = -100V
I D = - 24A
I G = -1mA
-40
-20
0
T J = 25oC
-2
-1
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
- 1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
T J = 150oC
T C = 25oC
1,000
Coss
Ciss
- 100
R DS(on) Limit
Single Pulse
100μs
1ms
- 10
10ms
100
f = 1 MHz
Crss
- 1
DC
100ms
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
- 10
- 100
- 1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
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